2025年4月22日，英飞凌宣告推出Cool GaN G5中压晶体管，这是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品能进步功率体系功能，削减不必要死区损耗，进步体系功率，简化功率级规划，下降用料本钱。
在硬开关使用里，因GaN器材有用体二极管电压（VSD）较大，根据GaN的拓扑结构易发生高功率损耗，若控制器死区时刻长，功率会低于方针。现在工程师常用外部肖特基二极管与GaN晶体管并联或缩短死区时刻，但都费时吃力又增本钱。而英飞凌的Cool GaN G5晶体管集成肖特基二极管，能有用处理这样一些问题，适用于服务器、电信中心总线转化器、DC-DC转化器、USB-C电池充电器同步整流器、高功率电源和电机驱动等场景。
英飞凌科技中压GaN产品线副总裁AntoineJalabert表明：跟着GaN技能在功率规划中大规模的使用，英飞凌一直在改善进步技能，以完成用户需求。集成肖特基二极管的Cool GaN G5晶体管展示了英飞凌以客户为中心的创新和推进宽禁带半导体资料开展的决计。
GaN晶体管因缺少体二极管，反向传导电压（VRC）受阈值电压（VTH）和关断态下栅极偏置偏压（VGS）影响，且VTH一般高于硅二极管导通电压，反向传导作业时存在下风。选用新式CoolGaN晶体管后，反向传导损耗下降，与更多高边栅极驱动器兼容，死区时刻放宽，控制器兼容性广，规划简化。
首款集成肖特基二极管的GaN晶体管是3x5mmPQFN封装的100V1.5mΩ晶体管。工程样品和方针数据表可按要求供给。
充电头网了解到，英飞凌此次推出的集成肖特基二极管的Cool GaN G5中压晶体管，具有进步功率体系功能、下降损耗、简化规划及削减相关本钱等方面的优势，将助力工程师更从容应对杂乱的工业级电源规划应战，加快氮化镓器材在各类功率转化场景中的遍及，为职业迈向高效、紧凑的电源处理方案供给了有力支撑，具有里程碑般的含义。